Diferença entre RDRAM e SDRAM

Diferença de chave: SDRAM é um tipo de memória de acesso aleatório dinâmica que é sincronizada com o barramento do sistema. O RDRAM é um tipo de memória que pode fornecer uma memória de corrente rápida com uma velocidade máxima de 100 MHz e transfere dados até 800 MHz.

Várias formas diferentes de RAM (Random Access Memory) foram introduzidas seguindo a popularidade do computador. Para tornar os computadores mais rápidos, mais simples e mais avançados tecnologicamente, novos tipos de RAM e outros componentes foram produzidos. RDRAM e SDRAM são dois tipos de RAM disponíveis no mercado.

A memória de acesso aleatório (RAM) é uma memória volátil usada para armazenamento de dados em um computador. O nome indica que a memória pode ser acessada em uma ordem aleatória, sem ter que alterar ou ler outros dados. Isso armazena dados que são usados ​​pelos programas, entretanto, quando o computador é desligado, os dados são apagados. RAM vem na forma de microchips de tamanhos diferentes, como 256MB, 512MB, 1GB, 2GB, etc Quanto maior a capacidade de dados, mais programas RAM pode suportar. Os computadores são projetados para que a RAM possa ser aumentada até uma determinada capacidade. RAM tem dois tipos: RAM estática (SRAM) ou RAM dinâmica (DRAM). Na SRAM, os dados são mantidos em forma de flip-flop, onde cada flip-flop contém um pouco de memória. Este dado não precisa de atualização constante é bastante mais rápido que o DRAM, porém é caro e é usado apenas como um cache em um PC. A DRAM possui células de memória emparelhadas com um transistor e um capacitor que requerem uma atualização constante.

A memória de acesso aleatório dinâmica síncrona (SDRAM) é um tipo de memória de acesso aleatório dinâmica que é sincronizada com o barramento do sistema. Ele roda a uma velocidade de clock maior que a memória convencional, rodando a 133 MHz. É também o antecessor dos módulos DDR SDRAM que usamos hoje em nossos computadores. A SDRAM possui uma interface síncrona, o que significa que ela deve esperar por um sinal de clock antes de responder às entradas de controle. O relógio controla os diferentes tipos de comandos que a SDRAM executa e também canaliza os comandos. Pipelining um comando permite que o chip inicie em outro comando, sem ter que terminar o primeiro comando e trabalhar neles simultaneamente. A área de armazenamento de dados é dividida em seções diferentes, permitindo que o chip acesse vários dados ao mesmo tempo.

O conceito de DRAM síncrona existe desde a década de 1970, enquanto a SDRAM foi introduzida em 1993 pela Samsung. A SDRAM se tornou instantaneamente popular e, em 2000, substituiu todos os outros tipos de DRAM nos computadores modernos. No entanto, SDRAM vem com algumas limitações, como ler o tempo de ciclo, com o menor tempo sendo 5 nanossegundos para DDR-400, o tempo permanece até a data. Outra limitação inclui a latência do CAS ou o tempo entre o fornecimento de um endereço de coluna e o recebimento dos dados correspondentes. Mesmo com as limitações, permanece popular devido ao seu baixo custo e outros recursos.

A Rambus Dynamic Random Access Memory (RDRAM) foi desenvolvida pela Rambus Inc. em meados da década de 1990 como um substituto para a arquitetura de memória DIMM SDRAM. Ele foi rapidamente licenciado pela Intel em 1997 para suas futuras placas-mãe. O RDRAM é um tipo de memória que pode fornecer uma memória de corrente rápida com uma velocidade máxima de 100 MHz e transfere dados até 800 MHz. Esperava-se que o RDRAM se tornasse um padrão para VRAM, no entanto, acabou numa guerra de padrões com DDR SDRAM e perdeu em preço e desempenho. O RDRAM está sendo usado em algumas placas aceleradoras gráficas no lugar da VRAM e também está sendo empregado nos processadores Intel Pentium III Xeon e Pentium 4. O RDRAM não se tornou popular devido a altas taxas de licenciamento, alto custo, sendo um padrão proprietário e vantagens de baixo desempenho para o aumento do custo.

Os controladores DRAM exigiam que os módulos de memória fossem instalados em conjuntos de dois, enquanto os slots de abertura remanescentes deveriam ser preenchidos com RIMMs de continuidade (CRIMMs). Embora os CRIMMs não fornecessem memória extra, eles eram usados ​​para transmitir sinais para resistores de terminação na placa-mãe. Os CRIMMs se parecem com os RIMMs na aparência, mas não possuem circuitos internos. As limitações do RDRAM incluíram aumento na latência, produção de calor, complexidade de fabricação e custo. Por causa do design, o tamanho da matriz do RDRAM também era maior que os chips SDRAM. O RDRAM ainda é usado em consoles de videogames como o Nintendo 64, PlayStation 2 e PlayStation 3. Ele também é usado ativamente em placas de vídeo.

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